Diodes electroluminescentes a base de nitrure d'elements iii

Ce travail de thčse est axé autour de l'étude des mécanismes d'injection et de recombinaisons radiatives et non radiatives dans les DELs ŕ base de nitrures d'éléments III. Les différentes briques constituant leur structure ont été étudiées. Aprčs un premier chapitre d'introduction rappelant quelques-unes des principales caractéristiques et propriétés physiques des alliages (Al,Ga,In)N, le deuxičme chapitre est consacré ŕ l'étude des dopages de type n et de type p. Des études couplées électriques/optiques ont été réalisées afin d'identifier la profondeur énergétique des niveaux associés aux impuretés dopantes et leur influence sur l'efficacité radiative des DELs. L'étude des contacts métal-SC fait l'objet du troisičme chapitre. Les mécanismes de recombinaisons de l'alliage (Ga,In)N, zone active des DELs, sont traités dans le quatričme chapitre par le biais de spectrométrie optique UV-visible en fonction de différents paramčtres. Finalement, une étude des propriétés opto-électroniques des DELs est réalisée dans la derničre partie. Des hypothčses sur les mécanismes d'électroluminescence sont reportées avec, notamment, la mise en évidence d'un effet tunnel diagonal radiatif.