Nem vált be? Semmi gond! Nálunk 30 napon belül visszaküldheti
Ajándékutalvánnyal nem nyúlhat mellé. A megajándékozott az ajándékutalványért bármit választhat kínálatunkból.
30 nap a termék visszaküldésére
Focuses on the materials science aspects of silicon heterostructure. This book defines the various advances in the Si-SiGe strained-layer epitaxy for device applications. It covers modern SiGe epitaxial growth techniques, EPI defects and dopant diffusion in thin films, stability constraints, and electronic properties of SiGe and Si-C alloys.